KSI2302CDS-T1-GE3 KUU

Symbol Micros: TSI2302cds KUU

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; KSI2302CDS-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	59mOhm
Max. Drainstrom:	2,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	KUU
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: KUU Hersteller-Teilenummer: KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

250 stk.

Anzahl Stück	5+	40+	250+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1550	0,0554	0,0348	0,0300	0,0282

Widerstand im offenen Kanal:	59mOhm
Max. Drainstrom:	2,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	KUU
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD