SI2305-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TSI2305 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 63mOhm; 5,4A; 1,20W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2305B-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 63mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: SI2305-CN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1576 0,0749 0,0421 0,0318 0,0286
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 63mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD