SI2305-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TSI2305 CNB
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 63mOhm; 5,4A; 1,20W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2305B-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 63mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 63mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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