G29
Symbol Micros:
TSI2305 GO
Gehäuse: SOT23
MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -15V; -4,1A; 1,05 W; -0,55 V; 56mΩ SI2305-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 56mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,05W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 15V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 56mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,05W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 15V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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