SI2305 SOT23 MDD
Symbol Micros:
TSI2305 MDD
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 60mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55°C~150°C; MDD2305;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | MDD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | MDD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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