SI2305-TP

Symbol Micros: TSI2305-tp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD