RDT2305A CREATEK

Symbol Micros: TSI2305a CRE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 70mOhm; 4,1A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2305-TP; SI2305B-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer: RDT2305A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1402 0,0642 0,0349 0,0262 0,0234
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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