SI2305B-TP

Symbol Micros: TSI2305b-tp MCC
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Gehäuse: SOT23-3
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Transistor-P-Channel-MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI2305B-TP RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2344 0,1297 0,0862 0,0720 0,0670
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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