SI2305CDS Vishay
Symbol Micros:
TSI2305cds
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 8V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 8V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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