KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU

Symbol Micros: TSI2305cds KUU
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: KUU Hersteller-Teilenummer: SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 10+ 30+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,2027 0,1335 0,0753 0,0476 0,0368
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD