SI2305CDS-T1-GE3

Symbol Micros: TSI2305cds VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 88Ohm; 5A; 2,5 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 88Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 88Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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