SI2307CDS Vishay

Name: TSI2307cds TSI2307cds
Brand: Vishay
SKU: TSI2307cds
Price: 0.1170 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2307cds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 138 mOhm; 3,5A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2307CDS-T1-GE3; SI2307CDS-T1-BE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	138mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2307CDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2370 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3215	0,1707	0,1324	0,1222	0,1170

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2307CDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

354000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1429

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2307CDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1170

Widerstand im offenen Kanal:	138mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD