SI2308BDS

Name: TSI2308bds TSI2308bds
Brand: Vishay
SKU: TSI2308bds
Price: 0.1320 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2308bds

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	192mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,66W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

5945 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3434	0,1891	0,1487	0,1376	0,1320

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1467

Widerstand im offenen Kanal:	192mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,66W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1659	0,0789	0,0443	0,0336	0,0302

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1070	0,0490	0,0267	0,0200	0,0178

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,0951	0,0376	0,0222	0,0163	0,0146