G05P06L

Symbol Micros: TSI2309cds GO

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17mOhm; 5A; 4,3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	170mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	4,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	170mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	4,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD