SI2312CDS-T1-GE3 Vishay

Name: TSI2312cds TSI2312cds
Brand: Vishay
SKU: TSI2312cds
Price: 0.2420 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2312cds

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 41mOhm; 6A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2312CDS-TI-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

74 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5521	0,3336	0,2561	0,2317	0,2204

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2312CDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2204

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD