SI2312CDS-T1-GE3  Vishay

Symbol Micros: TSI2312cds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 41mOhm; 6A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Max. Drainstrom: 6A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2312CDS-TI-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
74 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5483 0,3313 0,2543 0,2301 0,2189
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Max. Drainstrom: 6A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole