SI2318DS

Symbol Micros: TSI2318ds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2318DS-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2318DS-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4088 0,2258 0,1776 0,1645 0,1576
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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