SI2323DS-T1-E3 Vishay

Name: TSI2323ds TSI2323ds
Brand: Vishay
SKU: TSI2323ds
Price: 0.6916 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2323ds

Gehäuse: SOT23-3

P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 68mOhm; 3,7A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2323DS-T1-GE3; SI2323DS-T1-BE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	68mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2323DS-T1-E3 RoHS D3.. Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

12 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5730	0,3593	0,2818	0,2560	0,2489

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2323DS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5730	0,3593	0,2818	0,2560	0,2489

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2323DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

3596 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2489

Widerstand im offenen Kanal:	68mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD