SI2333CDS-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI2333cds
Gehäuse:
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2333CDS-T1-GE3
Gehäuse:
Externes Lager:
42000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1515 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2333CDS-T1-E3
Gehäuse:
Externes Lager:
2925 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5172 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2333CDS-T1-E3
Gehäuse:
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1581 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-11-28
Anzahl Stück: 1
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-31
Anzahl Stück: 1
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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