SI2333CDS-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI2333cds
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Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333CDS-T1-GE3 Gehäuse:    
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1687
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333CDS-T1-GE3 Gehäuse:    
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1578
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333CDS-T1-E3 Gehäuse:    
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2009
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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