SI2333CDS-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI2333cds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Zu favoriten hinzufügen
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333CDS-T1-E3 Gehäuse:    
Externes Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5190
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole