SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI2333dds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 150 mOhm; 6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333DDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4049 0,2234 0,1758 0,1627 0,1560
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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