SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

Name: TSI2333dds TSI2333dds
Brand: Vishay
SKU: TSI2333dds
Price: 0.1603 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2333dds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 150 mOhm; 6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333DDS-T1-GE3 RoHS O4.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2700 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4161	0,2295	0,1806	0,1671	0,1603

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333DDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4161	0,2295	0,1806	0,1671	0,1603

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333DDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

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84000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1603

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2027-12-31

Anzahl Stück: 1

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-12-31

Anzahl Stück: 1

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD