SI2336DS-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI2336ds
Gehäuse: SOT23-3
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 8V; 52mOhm; 5,2A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; SI2336DS-T1-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 52mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-06-11
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 52mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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