SI2337DS-T1-GE3

Name: TSI2337ds TSI2337ds
Brand: Vishay
SKU: TSI2337ds
Price: 0.3924 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2337ds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 303 mOhm; 2,2A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2337DS-T1-E3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	303mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2337DS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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10 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9022	0,5662	0,4699	0,4182	0,3924

Widerstand im offenen Kanal:	303mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD