SI2343DS

Symbol Micros: TSI2343ds
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 86mOhm; 3.1A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI2343DS-T1-GE3; SI2343DS-T1-BE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 86mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2343DS-T1-E3 Pbf F3.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,7302 0,4573 0,3803 0,3383 0,3173
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 86mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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