SI2347DS-T1-GE3

Symbol Micros: TSI2347ds

Gehäuse: SOT23-3

Trans MOSFET P-CH -30V -3.8A 3-Pin SOT-23 P-Channel 30 V 42 mOhm 22 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	-3,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	-30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2347DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23-3

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Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1857

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	-3,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	-30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD