SI2347DS-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI2347ds
Gehäuse: SOT23-3
Trans MOSFET P-CH -30V -3.8A 3-Pin SOT-23 P-Channel 30 V 42 mOhm 22 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
| Max. Drainstrom: | -3,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | -30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
| Max. Drainstrom: | -3,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | -30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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