SI2356DS
Symbol Micros:
TSI2356ds
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 40V 3.2A 3-Pin SOT-23 SI2356DS-T1-BE3; SI2356DS-T1-GE3; SI2356DS-T1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2356DS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
210000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0864 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2356DS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0864 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2356DS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0740 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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