SI2366DS-T1-GE3

Symbol Micros: TSI2366ds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET 5.8A 30V 2.1W 0.036Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2366DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,1143
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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