SI2369DS
Symbol Micros:
TSI2369ds
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3; SI2369DS-T1; SI2369DS-T1-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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