SI2369DS

Symbol Micros: TSI2369ds

Gehäuse: SOT23

Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3; SI2369DS-T1; SI2369DS-T1-BE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Max. Drainstrom:	5,4A
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2369DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1182

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2369DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1438

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2369DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1440

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Max. Drainstrom:	5,4A
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD