SI2374DS-T1-GE3

Name: TSI2374ds TSI2374ds
Brand: Vishay
SKU: TSI2374ds
Price: 0.3595 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2374ds

Gehäuse: SOT23-3

Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 5,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	5,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2374DS-T1-GE3 Pbf F5. Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8270	0,6156	0,4558	0,3830	0,3595

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2374DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23-3

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24000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3595

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2374DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3595

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	5,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD