SI2374DS-T1-GE3

Symbol Micros: TSI2374ds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 5,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 5,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2374DS-T1-GE3 Pbf F5. Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8360 0,6222 0,4607 0,3871 0,3634
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Standard-Verpackung:
5
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 5,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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