SI3433CDV-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI3433cdv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 6A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: TSOP6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3433CDV-T1-GE3 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
580 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1160+
Nettopreis (EUR) 0,2935 0,1872 0,1315 0,1128 0,1066
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Standard-Verpackung:
1160
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: TSOP6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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