SI3440DV-T1-GE3

Symbol Micros: TSI3440dv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 400 mOhm; 1,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3440DV-T1-GE3 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6465 1,3148 1,1243 1,0114 0,9691
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3440DV-T1-GE3 Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
236440 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9691
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD