SI3440DV-T1-GE3

Symbol Micros: TSI3440dv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 400 mOhm; 1,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3440DV-T1-GE3 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5152 1,2065 1,0331 0,9286 0,8906
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD