SI3440DV-T1-GE3

Symbol Micros: TSI3440dv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-MOSFET; 150V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI3440DV-T1-E3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole