SI3459BDV-T1-E3

Name: TSI3459bdv TSI3459bdv
Brand: Vishay
SKU: TSI3459bdv
Price: 0.3460 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI3459bdv

Gehäuse: TSOP06

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 288 mOhm; 2,9A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	288mOhm
Max. Drainstrom:	2,9A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 RoHS AS.. Gehäuse: TSOP06 t/r

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7956	0,5037	0,3978	0,3625	0,3460

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 Gehäuse: TSOP06

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3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3460

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 Gehäuse: TSOP06

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15000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3460

Widerstand im offenen Kanal:	288mOhm
Max. Drainstrom:	2,9A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD