SI3459BDV-T1-E3

Name: TSI3459bdv TSI3459bdv
Brand: Vishay
SKU: TSI3459bdv
Price: 0.2269 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI3459bdv

Gehäuse: TSOP06

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 288 mOhm; 2,9A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	288mOhm
Max. Drainstrom:	2,9A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5684	0,3438	0,2636	0,2384	0,2269

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2269

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2269

Widerstand im offenen Kanal:	288mOhm
Max. Drainstrom:	2,9A
Maximaler Leistungsverlust:	3,3W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD