SI3459BDV-T1-E3

Symbol Micros: TSI3459bdv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 288 mOhm; 2,9A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 288mOhm
Max. Drainstrom: 2,9A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 RoHS AS.. Gehäuse: TSOP06 t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8027 0,5082 0,4014 0,3657 0,3491
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 288mOhm
Max. Drainstrom: 2,9A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole