SI3483DDV-T1-GE3 

Symbol Micros: TSI3483DDV-T1-GE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET TSOP Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,0513Ohm
Max. Drainstrom: 6,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,0513Ohm
Max. Drainstrom: 6,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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