SI4134DY-T1-GE3

Symbol Micros: TSI4134dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4410BDY-T1-E3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4722 0,2866 0,2204 0,1988 0,1891
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
267500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1891
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1891
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
1250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2166
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD