SI4134DY-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI4134dy
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4410BDY-T1-E3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 17mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4722 | 0,2866 | 0,2204 | 0,1988 | 0,1891 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
267500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1891 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1891 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
1250 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2166 |
Widerstand im offenen Kanal: | 17mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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