SI4143DY-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI4143dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin SOIC N
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,2mOhm
Max. Drainstrom: 17,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,9W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9,2mOhm
Max. Drainstrom: 17,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,9W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD