SI4178DY-T1-GE3 Vishay

Name: TSI4178dy TSI4178dy
Brand: Vishay
SKU: TSI4178dy
Price: 0.2184 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI4178dy

Gehäuse: SOIC08

N-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 33mOhm; 12A; 5W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4178DY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4967	0,2754	0,2180	0,2055	0,1989

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4178DY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

27500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1989

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4178DY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1989

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4178DY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

1150 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1989

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD