SI4286DY

Symbol Micros: TSI4286dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2xN-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 40mOhm; 7A; 2,9 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4286DY-T1-GE3; SI4286DY-T1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,9W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4286DY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3368 1,0202 0,8443 0,7411 0,7036
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,9W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole