SI4401BDY

Symbol Micros: TSI4401bdy
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Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4401BDY-T1-E3; SI4401BDY-E3; SI4401BDY-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4401BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
47 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9657 0,7091 0,5692 0,4875 0,4595
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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