SI4410DY

Symbol Micros: TSI4410dy

Gehäuse: SOP08

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: SI4410BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

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Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9471	0,6283	0,5191	0,4690	0,4508

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD