SI4425BDY-T1-E3

Symbol Micros: TSI4425bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 19mOhm; 8,8A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4425BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9804 0,7201 0,5770 0,4949 0,4668
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4425BDY-T1-E3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4668
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD