SI4435DDY

Symbol Micros: TSI4435ddy

Gehäuse: SOP08

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	11,4A
Maximaler Leistungsverlust:	5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5571	0,3106	0,2442	0,2304	0,2231

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

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171 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5173

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

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2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2265

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

2700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2726

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	11,4A
Maximaler Leistungsverlust:	5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD