SI4435DDY

Symbol Micros: TSI4435ddy
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Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 11,4A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5620 0,3125 0,2449 0,2320 0,2246
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 11,4A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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