SI4447ADY-T1-GE3

Symbol Micros: TSI4447ady

Gehäuse: SOP08

P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	7,2A
Maximaler Leistungsverlust:	4,2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

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180 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5863	0,3690	0,2896	0,2639	0,2546

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	7,2A
Maximaler Leistungsverlust:	4,2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD