SI4447ADY-T1-GE3

Symbol Micros: TSI4447ady

Gehäuse: SOP08

P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	7,2A
Maximaler Leistungsverlust:	4,2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,5928	0,3755	0,2952	0,2645	0,2574

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,5928	0,3755	0,2952	0,2645	0,2574

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4447ADY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

2050 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2585

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	7,2A
Maximaler Leistungsverlust:	4,2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD