SI4459ADY

Symbol Micros: TSI4459ady

Gehäuse: SOP08

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,7mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	7,8W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

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40 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,2030	0,8405	0,6922	0,6427	0,6333

Widerstand im offenen Kanal:	7,7mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	7,8W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD