SI4459ADY
Symbol Micros:
TSI4459ady
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 7,8W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2002 | 0,8385 | 0,6905 | 0,6412 | 0,6318 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 7,8W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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