SI4463BDY

Symbol Micros: TSI4463bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 9,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2234 0,8982 0,7205 0,6175 0,5825
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2234 0,8117 0,6713 0,6058 0,5825
Standard-Verpackung:
400
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4463BDY-T1-E3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
3137 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5825
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 9,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD