SI4463BDY
Symbol Micros:
TSI4463bdy
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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