SI4470EY

Symbol Micros: TSI4470ey

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 9A; 1,85 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	13mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,85W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4470EY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

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50 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	0,6074	0,4505	0,3322	0,2844	0,2639

Widerstand im offenen Kanal:	13mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,85W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD