SI4470EY

Symbol Micros: TSI4470ey
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Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 9A; 1,85 W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,85W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4470EY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6812 0,5063 0,3733 0,3196 0,2963
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,85W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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