SI4532ADY-T1-E3

Symbol Micros: TSI4532ady
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N/P-MOSFET 4.9/3.9A 30V 2/2W 0.053/0.08Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD