SI4559ADY-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI4559ady
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-E3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4559ADY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
19900 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3480
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4559ADY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3062
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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