SI4559ADY-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI4559ady
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Gehäuse: SOP08
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Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-E3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4559ADY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
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Nettopreis (EUR) 0,3485
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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