SI4559ADY-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI4559ady
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-E3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 4,3A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 4,3A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD