SI4564DY-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI4564dy
Gehäuse: SOIC08
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2 W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5,2W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI4564DY-T1-GE3
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5922 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI4564DY-T1-GE3
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
7500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5231 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5,2W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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