SI4564DY-T1-GE3

Symbol Micros: TSI4564dy

Gehäuse: SOIC08

Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2 W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	5,2W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4564DY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r

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120 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5125	1,0583	0,8991	0,8242	0,7961

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	5,2W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD