SI4564DY SOIC8 VBSEMI

Symbol Micros: TSI4564dy VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 7,6A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 7,6A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD