SI4686DY

Symbol Micros: TSI4686dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 14mOhm; 18,2A; 5,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4686DY-T1-E3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 18,2A
Maximaler Leistungsverlust: 5,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4686DY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 15+ 45+
Nettopreis (EUR) 0,5840 0,4027 0,2897 0,2331
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Standard-Verpackung:
45
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 18,2A
Maximaler Leistungsverlust: 5,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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