SI4800BDY-e3

Symbol Micros: TSI4800bdy-e3
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Gehäuse: SOP08
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 30mOhm; 6,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4800BDY-T1-E3; SI4800BDY-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4800BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 225+ 1125+
Nettopreis (EUR) 0,5716 0,3458 0,2658 0,2399 0,2286
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Standard-Verpackung:
225
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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