SI4816BDY-T1-GE3TR

Name: TSI4816bdy TSI4816bdy
Brand: Siliconix
SKU: TSI4816bdy
Price: 0.5171 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI4816bdy

Gehäuse: SOP08

2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 22,5 mOhm/16 mOhm; 5,8A/8,2A; 1W/1,25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4816BDY-T1-E3TR;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Max. Drainstrom:	8,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4816BDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

54 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0862	0,7225	0,5974	0,5384	0,5171

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4816BDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5171

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4816BDY-T1-E3 Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5171

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Max. Drainstrom:	8,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD