SI4816BDY-T1-GE3TR

Symbol Micros: TSI4816bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 22,5 mOhm/16 mOhm; 5,8A/8,2A; 1W/1,25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4816BDY-T1-E3TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22,5mOhm
Max. Drainstrom: 8,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4816BDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
54 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1881 0,7897 0,6530 0,5894 0,5658
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 22,5mOhm
Max. Drainstrom: 8,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole