SI4840BDY
Symbol Micros:
TSI4840bdy
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4840BDY-T1-E3; SI4840BDY-E3; SI4840BDY-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 19A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI4840BDY RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
12 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8135 | 1,5207 | 1,3531 | 1,2468 | 1,2090 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 19A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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