SI4840BDY

Symbol Micros: TSI4840bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4840BDY-T1-E3; SI4840BDY-E3; SI4840BDY-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4840BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7786 1,4915 1,3270 1,2228 1,1858
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4840BDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1858
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4840BDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
8900 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1858
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4840BDY-T1-E3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1858
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD